四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。因為導致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子,它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強,因此分離的可能性比較低。四氟化碳在900℃時,不與銅、鎳、鎢、鉬反應,僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時,會分解產(chǎn)生有毒氟化物。





因為四氟化碳和四氟化1硅都是共價化合物,然而碳氟鍵的鍵能遠遠大于硅氟鍵的鍵能,鍵長也是前者短得多,所以四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。吸入四氟化碳的后果與濃度有關,包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長時間接觸會導致嚴重的心臟破壞。在900℃時,不與銅、鎳、鎢、鉬反應,僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時,會分解產(chǎn)生有毒氟化物。
隨著芯片制程向7納米邁進,細微雜質對芯片的損害更為明顯,電子產(chǎn)業(yè)對高純電子氣體的純度要求進一步提高,在此背景下,我國高純四氟化碳生產(chǎn)技術與產(chǎn)品質量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項:氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶內的氣體不能全部用盡,應該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國人工智能、物聯(lián)網(wǎng)市場仍在不斷擴大,光伏發(fā)電累計裝機容量不斷上升,預計2020-2025年,我國高純四氟化碳市場需求將繼續(xù)以10.0%以上的增速增長。

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